Выберите язык

УДК 577: 577.2: 577.21
DOI 10.36461/NP.2025.73.1.009

ПОВЫШЕНИЕ УСТОЙЧИВОСТИ РАСТЕНИЙ К ПАТОГЕНАМ ПУТЕМ НОКАУТА ВАЖНОГО ЭНДОГЕННОГО ГЕНА LAE-1 ФУЗАРИОЗА У ХЛОПЧАТНИКА
И.Э. Бозоров, мл. науч. сотр.; М.М. Дарманов, (PhD), ст. науч. сотр.;
Н.Н. Хусенов, (PhD), ст. науч. сотр.; Т.М. Норов, (PhD), ст. науч. сотр.;
М.С. Aюбов, (PhD), ст. науч. сотр, З.Т. Буриев ст. науч. сотр.
Центр геномики и биоинформатики Академии Наук Республики Узбекистан,
г. Ташкент, Узбекистан, е-mail: Адрес электронной почты защищен от спам-ботов. Для просмотра адреса в браузере должен быть включен Javascript.

Фузариозное увядание хлопчатника (Gossypium spp.) вызывается почвенным грибком Fusarium oxysporum f. sp vasinfectum (FOV). Это заболевание приводит к значительным потерям урожая хлопка в странах, выращивающих хлопчатник, по всему миру. В настоящее время существует два метода борьбы с болезнью увяданием – химический и биологический. Однако из-за экономических и экологических недостатков борьбы с увяданием химическими методами страны, выращивающие хлопчатник, реже используют этот метод. Поэтому актуальна разработка устойчивых и экологически чистых методов борьбы с возбудителями. В настоящее время для ученых-селекционеров большое значение приобретает использование современных геномных технологий в борьбе с патогенными организмами. В этом исследовании мы стремились отключить ген LAE1, который важен для жизнедеятельности грибов. С помощью технологии HIGS удалось частично подавить активность гена LAE1 у хлопчатника. Полученные трансгенные линии были инфицированы возбудителем FOV в условиях фитотрона в трехкратной повторности. Установлено, что заболеваемость трансгенных растений была значительно ниже, чем у контрольных растений, а проявление симптомов заболевания было отсроченным. Полученные результаты будут служить важным источником в создании устойчивых и высокоурожайных сортов хлопчатника против патогена FOV в нашей стране в будущем.
Ключевые слова: Gossypium spp., трансгенное растение, Fusarium oxysporum f. sp vasinfectum, HIGS, LAE1.

Информация о публикации Посмотреть статью

We use cookies

Используя данный сайт, вы даёте согласие на использование файлов cookie, помогающих нам сделать его удобнее для вас.
CookieHint and Consent by reDim GmbH (Opens in a new window)